碳化硅是什么
碳化硅(SiC),是一种宽禁带半导体材料,碳化硅器件相比硅器件具有高功率密度、低功率损耗、优异高温稳定性等优点,可广泛应用于电力转换类器件。
概念透视
碳化硅指标
涨跌幅 | 主力资金 |
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碳化硅概念主力净流入亿元,当前%。近一个月内最大连涨天数为1天,最大连跌天数为1天。首次提出时间为2021年03月04日。
碳化硅有哪些优势?
碳化硅材料的特点包括耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等电气特性,这些特性使得碳化硅器件在高效率、高可靠性和小型化方面具有显著优势。碳化硅器件的导通电阻低,能量损耗小,且能够承受更大的电流和电压,适用于更高频率和更快的开关速度,这些特性使得碳化硅器件在电力电子变换装置中表现出色。同时,碳化硅材料的高热导率有助于器件在高温环境下稳定运行,简化了散热系统设计,有助于实现器件的轻量化和小型化。
碳化硅产业链如何分布?
原材料制备:涉及高纯碳粉和硅粉等原材料的合成,为碳化硅晶体生长提供基础。
衬底生长:通过物理气相传输法(PVT法)等技术制备碳化硅单晶,形成不同尺寸的碳化硅晶片,这是产业链中的关键环节,因为衬底质量直接影响到后续器件的性能。
外延层生长:在碳化硅衬底上通过化学气相沉积(CVD)等方法生长外延层,用于制造具有特定电学特性的器件。
器件制造:包括碳化硅基氮化镓(GaN)射频器件和碳化硅功率器件的制造,这些器件在5G通信、新能源汽车、光伏发电、智能电网等领域有广泛应用。
下游应用:碳化硅器件因其耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特性,在多个高端应用领域发挥重要作用,如新能源汽车的逆变器、光伏逆变器、智能电网的电力电子设备、轨道交通的牵引变流器等。
市场与销售:涉及碳化硅器件的销售和服务,包括直接销售和通过分销商销售给最终用户。
研发与创新:随着技术的不断进步,碳化硅的研发活动在产业链中占有重要位置,包括新材料、新工艺的开发和现有技术的改进。
碳化硅相关技术发展将影响哪些领域?
碳化硅技术的快速发展将对多个行业产生深远影响。在新能源汽车领域,碳化硅器件有助于提高电动汽车的能效和性能,减少充电时间,增加续航里程。在5G通信领域,碳化硅基氮化镓射频器件因其高频率和高功率处理能力,正逐渐成为5G基站功率放大器的主流技术路线。此外,碳化硅在智能电网、光伏发电等领域的应用也有助于提升系统效率和可靠性。
碳化硅市场潜力如何?
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料的代表,因其卓越的物理特性,如高禁带宽度、高击穿电场、高热导率和高电子饱和速率,展现出巨大的市场潜力和应用前景。据相关研报,碳化硅器件在新能源汽车、5G通信、光伏发电、智能电网、轨道交通等领域的应用需求正快速增长,预计未来市场规模将持续扩大。据II-VI公司的乐观预计,到2030年碳化硅市场规模将超过300亿美元,2021至2030年间的复合年增长率高达50.6%。
碳化硅相关标的有哪些?
碳化硅概念相关股票中晶盛机电,时代电气,扬杰科技,通富微电,斯达半导,麦格米特,新洁能,三安光电等个股成长性强,可重点关注。
碳化硅行业龙头及介绍
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晶盛机电(300316.SZ) | - | - | - | - | 144.78亿元 | 29.60亿元 |
时代电气(688187.SH) | - | - | - | - | 162.56亿元 | 25.01亿元 |
扬杰科技(300373.SZ) | - | - | - | - | 44.24亿元 | 6.69亿元 |
通富微电(002156.SZ) | - | - | - | - | 170.81亿元 | 5.53亿元 |
斯达半导(603290.SH) | - | - | - | - | 24.15亿元 | 4.23亿元 |
麦格米特(002851.SZ) | - | - | - | - | 59.03亿元 | 4.11亿元 |
新洁能(605111.SH) | - | - | - | - | 13.56亿元 | 3.32亿元 |
三安光电(600703.SH) | - | - | - | - | 118.55亿元 | 2.47亿元 |
晶盛机电公司主营产品为全自动单晶生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔硅单晶炉、单晶硅滚圆机、单晶硅截断机、全自动硅片抛光机、双面研磨机、单晶硅棒切磨复合加工一体机、多晶硅块研磨一体机、叠片机、蓝宝石晶锭、蓝宝石晶片、LED灯具自动化生产线等。公司产品主要应用于太阳能光伏、集成电路、LED、工业4.0等具有较好市场前景的新兴产业。公司拥有多家子公司和研发中心,其中一个海外研发中心,拥有工业4.0方向的省级重点研究院、省级晶体装备研究院等研究平台、博士后工作站。
时代电气公司以技术研发为核心,秉持“高质量经营,高效率运营”理念,坚持“同心多元化”战略,在夯实提升轨道交通业务的基础上,逐步拓展轨道交通外市场,打造新的增长点。公司主要从事轨道交通装备产品的研发、设计、制造、销售并提供相关服务,具有“器件+系统+整机”的产业结构,产品主要包括以轨道交通牵引变流系统为主的轨道交通电气装备、轨道工程机械、通信信号系统等。同时,公司还积极布局轨道交通以外的产业,在功率半导体器件、工业变流产品、新能源汽车电驱系统、传感器件、海工装备等领域开展业务。经过多年的研发积淀和技术引进吸收及自主创新,公司已经具备完整的自主知识产权体系,成为在电气系统技术、变流及控制技术、工业变流技术、列车控制与诊断技术、轨道工程机械技术、功率半导体技术、通信信号技术、数据与智能应用技术、牵引供电技术、检验测试技术、深海机器人技术、新能源汽车电驱系统技术和传感器技术等领域拥有自主知识产权的高科技企业。
扬杰科技公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。通过实行“扬杰”和“MCC”双品牌运作,不断扩大国内外销售、技术网络的辐射范围,为各大终端客户提供直接的专业产品和技术支持服务,持续提升公司国际化服务水平。公司连续数年被中国半导体行业协会评为中国半导体功率器件十强企业,获得全国工业品牌培育示范企业、2016年度国家知识产权优势企业、国家火炬计划重点高新技术企业、全国电子信息行业优秀创新企业、江苏省信息化和工业化融合试点企业等荣誉称号;建立了江苏省功率半导体芯片及器件封装工程技术研究中心、江苏省企业技术中心、江苏省功率半导体芯片及器件工程中心、江苏省企业博士后工作站、企业院士工作站;先后和国内多所著名高校建立了长期的项目开发合作关系。
通富微电公司目前的封装技术包括Bumping、WLCSP、FC、BGA、SiP等先进封测技术,QFN、QFP、SO等传统封装技术以及汽车电子产品、MEMS等封装技术;测试技术包括圆片测试、系统测试等。公司拥有国家认定企业技术中心、国家博士后科研工作站、江苏省企业院士工作站、省级工程技术研究中心和企业研究院等高层次研发平台,拥有2000多人的技术管理团队。在行业内率先通过ISO9001、ISO/TS16949等质量体系。采用SAP、MES、设备自动化、EDI等信息系统,可按照客户个性化的规范自动控制生产过程,实时和客户进行信息交互。
斯达半导IGBT模块的核心是IGBT芯片和快恢复二极管芯片,公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。IGBT作为一种新型电力电子器件,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,是工业控制及自动化领域的核心元器件,其作用类似于人类的心脏,能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等,以实现精准调控的目的。因此,IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”,广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。据IHSMarkit2018年报告数据显示,在2017年度IGBT模块供应商全球市场份额排名中,斯达股份排名第10位,在中国企业中排名第1位,成为世界排名前十中唯一一家中国企业。
麦格米特主营业务为依托电力电子及相关控制核心技术平台,为制造类客户提供定制电源解决方案及工业自动化核心部件,产品包括智能家电电源、IT及云计算服务器电源、LED照明及大屏幕驱动电源、工业与通信嵌入式电源、电力操作电源、数字化逆变焊接电源、可编程逻辑控制器、工业级变频器及解决方案等。公司是中国电源学会常务理事单位、国家级高新技术企业,掌握了包括DSP数字电源软件算法平台技术、正弦波永磁同步变频空调控制技术、高效云计算服务器供电平台技术等在内的十二项核心技术。公司与清华同方、TCL、欧洲UMC、美国3COM、飞利浦、中联重科、上海二纺机、长安汽车等国内外知名企业建立了良好的业务合作。
新洁能公司是江苏省科技厅、财政厅、国税局、地税局联合认定的高新技术企业,且为中国半导体行业协会会员、中国电源学会理事单位。公司的主营业务为MOSFET等分立器件的研发和销售,公司销售的产品按照是否封装可以分为晶圆片和封装成品。公司目前已经形成沟槽型功率MOSFET(中低压)、超结功率MOSFET(高)两类主要产品系列,以及屏蔽栅沟槽型功率MOSFET(SGT)(中低压)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和功率模块等新产品系列。公司目前拥有约500种型号的细分产品,产品广泛应用于消费电子、汽车电子、变频家电、新能源汽车及充电桩、LED等领域。公司各类产品的区别主要体现是产品在不同的电压平台下,使用合理及先进的设计技术和制造技术来实现功率器件低导通损耗与低开关损耗,从而提升能源转换效率。
三安光电公司主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售,产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力,继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业,建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后,2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区,斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。
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